Halbleiter

Standard Recovery-Dioden

• 35  - 60 A
• Passivierte Glasplatte
• Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
• Hohe Überspannungsfähigkeit
• Niedriger Ableitstrom
• Normale und umgekehrte Polarität
• Metrische und UNF-Gewinde verfügbar

Standard-Rückgewinnungsdioden werden in Gleichrichterdioden und schnelle Dioden unterteilt. Sie sind auf geringe Leitungsverluste optimiert und können sehr große Ströme verarbeiten.

Gleichrichterdioden werden in Normal-Recovery-Dioden und Lawinendioden unterteilt und in der Regel für die AC-DC Umwandlung verwendet.

Schottky-Dioden

• 15 - 600 A
• Schottky Rectifier Dioden
• Schottky Power Dioden
• Twin Power Packages (ab 120 A)
• Guard Ring Protection (ab 120 A)
• schnelles Schalten
• geringer Vorwärtsspannungsabfall
• hohe Stoßspannungsfestigkeit
• hoher Wirkungsgrad
• geringe Leistungsverluste
• normale und umgekehrte Polarität

Eine Schottky-Diode (Hot-Carrier-Diode) ist eine spezielle Diode, die keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Die Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt oder Schottky-Barriere (wg. Potentialbarriere). Die Schottky-Diode ist ein Gleichrichter. Die Diode besteht aus einem Material-Mix. Dieser ist entscheidend dafür, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Der Diodentyp wird in der Hoch- und Höchstfrequenztechnik verwendet.

Zener Dioden / Z-Dioden 

• 10 - 50W
• 20 - 75W Zener Dioden
• Power Surge Compressor (Überspannungsschutz) 300W
• passivierter Glasübergang
• gute Spannungsfestigkeit
• erhältlich in normaler und umgekehrter Polarität
• metrische und UNF-Gewindetypen

Eine Z-Diode (früher auch Zener-Diode) ist eine  Diode , die darauf ausgelegt ist, dauerhaft in Sperrrichtung im Bereich der  Durchbruchspannung  betrieben zu werden. Die Höhe dieser Durchbruchspannung UBR ist die Hauptkenngröße einer Z-Diode und ist im Datenblatt spezifiziert. 

Früher wurden diese Dioden nach dem amerikanischen Physiker Clarence Melvin Zener, dem Entdecker des Zener-Effekts (Elektronen tunneln durch die Sperrschicht), benannt. Seit den 1970er Jahren wird der Name Z-Diode empfohlen, da nur für geringe Durchbruchspannungen der Zener-Effekt verantwortlich ist. In Durchlassrichtung verhalten sie sich wie normale Dioden. In Sperrrichtung sind Z-Dioden bei geringen Spannungen sperrend, genauso wie normale Dioden. Ab einer gewissen  Sperrspannung , der so genannten Durchbruchspannung steigt der Strom innerhalb weniger hundert Millivolt um viele Größenordnungen an. Weitere Erklärungen: https://de.wikipedia.org/wiki/Z-Diode